Samsung анонсировала полностью буферизированный модуль памяти следующего поколения емкостью 1 ГБ, построенный на базе стандарта DDR2. Особенности нового дизайна полностью буферизированных модулей (Fully Buffered, Dual In-line Memory Module, FB DIMM) позволили улучшить производительность по сравнению со стандартными реализациями модулей, что делает FB DIMM хорошими кандидатами на применение в серверах и рабочих станциях высокого уровня.

При стандартном дизайне модулей при росте скорости шины уменьшается количество чипов памяти, которые можно подключить к одному каналу, таким образом, в этом случае применение параллельного интерфейса ограничивает возможности организации высокопроизводительных модулей памяти большой емкости. В модулях FB DIMM для организации канала памяти используется последовательный интерфейс, а регистры DIMM заменены буфером памяти. Буфер может обеспечивать пропускную способность от 3,2 Гбит/с до 4,8 Гбит/с, что в 6 раз превышает аналогичные показатели у стандартных модулей. Samsung планирует наладить выпуск FB DIMM в первой половине 2005 г. в соответствии с первыми появляющимися запросами рынка на эту новую технологию, сообщает 3dnews.ru