Корейская компания Samsung анонсировала первые промышленные 2-Гигабитные DDR2 SDRAM микросхемы. DDR2 модули высокой плотности планируется использовать в серверных системах, рабочих станциях, в трехмерных графических системах и там, где память интенсивно используется для обработки различных данных.

Samsung разработала DDR2 SDRAM с соблюдением норм 80-нм техпроцесса, ранее витало мнение о том, что "плотности" в 2-Гигабита можно добиться только за счет 65-нм техпроцесса, но как видите, Samsung опровергла былое утверждение.

Изюминка новых DDR2 SDRAM микросхем - технология RCAT, трехмерные транзисторы и новая архитектура. RCAT (Recess Channel Array Transistor) была представлена еще в прошлом году, но применение получила лишь в 2004.

RCAT позволяет работать с трехмерными транзисторами, обеспечивая при этом высокую плотность и небольшие размеры чипа. Массовый выпуск DDR2 SDRAM микросхем запланирован на вторую половину 2005 года, сообщает 3dnews.ru